由面内电四偶极晶格共振与电偶极晶格共振耦合产生的超构表面类EIT现象继承了前者的BIC特性,其品质因子和慢光指数均按照反二次函数发散到无穷大。
研究显示,由面内电四偶极SLR与电偶极SLR干涉耦合产生的新型类EIT现象继承了前者的BIC特性,导致其品质因子与慢光指数在理论上均按照反二次函数发散到无穷大。此外,通过参数调节,研究还观测到由这两种类EIT现象形成的双频EIT带。
本研究利用晶格共振之间的干涉耦合,在超构表面上实现超高品质因子(即超低损耗)的强慢光效应,有望在光通信、光计算和光存储等领域光调制器和光缓存器,以及光传感领域的超高灵敏度传感器方面获得应用,并为慢光超构表面硅基光子芯片的设计和研究提供了新思路。
研究工作得到国家自然科学基金、广东省自然科学基金和深圳市科技计划的支持。
审核编辑:刘清
文章版权声明:除非注明,否则均为本站原创文章,转载或复制请以超链接形式并注明出处